壓力傳感器的標(biāo)準(zhǔn)流程如下

隨著工業(yè)技術(shù)的快速發(fā)展，壓力傳感器在精密測(cè)量領(lǐng)域的應(yīng)用市場前景越來越廣闊。MEMS壓力傳感器應(yīng)運(yùn)而生。與傳統(tǒng)的壓力傳感器相比，MEMS壓力傳感器不僅體積小，而且測(cè)量精度高，功耗低，成本低。大多數(shù)MEMS壓力傳感器的壓力元件是硅膜片。根據(jù)不同的敏感機(jī)制，MEMS壓力傳感器可以分為三種:壓阻式、電容式和諧振式。其中，硅壓阻力MEMS壓力傳感器采用高精度半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片，形成惠斯頓。

壓力傳感器的標(biāo)準(zhǔn)流程如下:首先，將四個(gè)電阻應(yīng)變片注入拋光的硅襯底，電阻應(yīng)變片設(shè)計(jì)在硅膜表面應(yīng)力大的地方，形成惠斯頓電橋。然后，在圓片的背面，從硅片的中間蝕刻出一個(gè)應(yīng)力杯。鍵合圓片的背面。根據(jù)產(chǎn)品應(yīng)用，可以在應(yīng)力杯中抽真空制作絕壓MEMS設(shè)備，也可以保持應(yīng)力杯與大氣的連接，制成表壓MEMS設(shè)備。產(chǎn)品封裝后，當(dāng)硅膜兩側(cè)的壓差發(fā)生變化時(shí)，應(yīng)力硅膜會(huì)發(fā)生彈性變形，破壞原有的惠斯頓電橋電路平衡，從而產(chǎn)生一個(gè)電橋。